芯片封装结构及制备方法、功率模块、功率转换电路

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芯片封装结构及制备方法、功率模块、功率转换电路
申请号:CN202510236462
申请日期:2025-02-28
公开号:CN120280355A
公开日期:2025-07-08
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种芯片封装结构及制备方法、功率模块、功率转换电路,涉及半导体技术领域,旨在提高封装的可靠性。芯片封装结构的制备方法包括:提供芯片、第一模具和第二模具,芯片包括碳化硅晶体管。通过第一模具形成第一封装层,第一封装层覆盖碳化硅晶体管的至少部分,第一封装层包括第一封装材料。通过第二模具形成第二封装层,第二封装层覆盖第一封装层的至少部分,第二封装层包括第二封装材料。其中,第一封装材料的粘附性大于第二封装材料的粘附性;和/或,第一封装材料的热膨胀系数小于第二封装材料的热膨胀系数;和/或,第一封装材料的水汽透过率大于第二封装材料的水汽透过率。
技术关键词
封装材料 碳化硅晶体管 芯片封装结构 功率转换电路 改性环氧树脂 聚酰亚胺膜材料 透过率 复合环氧树脂 熔融硅微粉 杂化聚合物 模具 功率模块 交流电 功率因数校正 二氧化硅 氧化铝 电路板