一种可调施密特输入电路、存储器芯片及存储器

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一种可调施密特输入电路、存储器芯片及存储器
申请号:CN202510241850
申请日期:2025-02-26
公开号:CN120377891A
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种可调施密特输入电路、存储器芯片及存储器,通过控制信号处理模块、信号输入模块和信号增强模块,能够根据控制信号及其反相信号调节反馈路径的数量,实现输入信号的毛刺过滤和高低电平阈值的动态调节,有效提升了电路在地弹噪声环境下的抗干扰能力,避免地弹噪声会对输入输出信号的高低电平判断造成干扰现象。与传统方案相比,本发明不仅能够适应不同的工作场景,增强输入信号的可靠性,还通过信号增强模块确保输出信号具有足够的驱动能力,从而满足后续芯片处理的需求,显著提高了存储器芯片的稳定性和适用性。
技术关键词
PMOS晶体管 NMOS晶体管 施密特触发器 输入电路 存储器芯片 反相电路 信号输入模块 信号处理模块 PMOS管 栅极 电平 NMOS管 反相器 滤波 地弹噪声 电压电源 节点
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