一种可调施密特输入电路、存储器芯片及存储器
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一种可调施密特输入电路、存储器芯片及存储器
申请号:
CN202510241850
申请日期:
2025-02-26
公开号:
CN120377891A
公开日期:
2025-07-25
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种可调施密特输入电路、存储器芯片及存储器,通过控制信号处理模块、信号输入模块和信号增强模块,能够根据控制信号及其反相信号调节反馈路径的数量,实现输入信号的毛刺过滤和高低电平阈值的动态调节,有效提升了电路在地弹噪声环境下的抗干扰能力,避免地弹噪声会对输入输出信号的高低电平判断造成干扰现象。与传统方案相比,本发明不仅能够适应不同的工作场景,增强输入信号的可靠性,还通过信号增强模块确保输出信号具有足够的驱动能力,从而满足后续芯片处理的需求,显著提高了存储器芯片的稳定性和适用性。
技术关键词
PMOS晶体管
NMOS晶体管
施密特触发器
输入电路
存储器芯片
反相电路
信号输入模块
信号处理模块
PMOS管
栅极
电平
NMOS管
反相器
滤波
地弹噪声
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