一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法

本发明属于紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：在蓝宝石衬底表面制备5nm~30nm的AlN buffer层；将制备有AlN buffer层的蓝宝石衬底放置在MOCVD中生长结构层；生长3D AlGaN层；生长2D AlGaN层；生长组分为50%~60%的AlGaN层；生长掺Si的nAlGaN层；生长多量子阱有源层；生长EBL层；生长空穴注入层；生长空穴供给层。本发明通过合理设置最后两对量子阱的组分渐变，实现固定单一组分量子阱的生长，降低了电子和空穴波函数的空间分离，提高了载流子辐射符合的效率，提高了有效波段积分面积和波谱总积分面积的占比。