半导体设备及其制造方法

本公开的实施例涉及半导体设备及其制造方法。半导体设备包括：半导体衬底；层间绝缘膜；第一电极焊盘和第二电极焊盘；以及第一镀膜和第二镀膜。半导体衬底具有第一主表面和第二主表面，第二主表面与第一主表面相对。半导体衬底充当n型漏极区域。半导体衬底包括：n型源极区域；p型沟道区域，p型沟道区域与源极区域的侧面相邻，侧面更靠近第一主表面，并且p型沟道区域被pn键合到源极区域和漏极区域；以及p型阱区域，p型阱区域被pn键合到漏极区域。层间绝缘膜被形成在第二主表面上。第一电极焊盘和第二电极焊盘被形成在层间绝缘膜上，并且被分别电连接到源极区域和阱区域。