一种基于硫空位迁移的微型光谱仪器件及其制备方法

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一种基于硫空位迁移的微型光谱仪器件及其制备方法
申请号:CN202510289702
申请日期:2025-03-12
公开号:CN120176843A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种基于硫空位迁移的微型光谱仪器件及其制备方法,涉及微型光谱仪器件技术领域,该微型光谱仪器件包括微型光谱仪和光谱重构模型;微型光谱仪包括基体和半导体电极;基体包括依次堆叠设置的衬底和硫化物层,硫化物层的硫化物为硫化钼、硫钨钼或者硫硒钼,半导体电极位于硫化物层表面,半导体电极包括源电极和漏电极,源电极位于漏电极和硫化物层之间,漏电极、源电极和硫化物层依次堆叠设置;硫化物层中与半导体电极连接表面的下方通过等离子体软刻蚀引入硫空位;光谱重构模型用于对微型光谱仪输出的光谱数据进行重构,输出重构后的光谱数据;光谱重构模型是采用训练集对神经网络进行训练得到的。本申请可提高光谱仪器件的稳定性。
技术关键词
微型光谱仪 重构模型 电极 半导体 光刻胶剥离 硫化钼纳米片 二维材料 刻蚀系统 二氧化硅 基体 衬底 涂覆光刻胶 数据 样本 基准