一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法

涉及半导体器件技术领域，本发明公开一种双输入GaN HEMT器件及制造方法。包括在衬底上依次外延生长的反向器件区层、共用漏极层和正向器件区层，其中正向器件区层上设有包含表面源极与表面栅极的外输入结构，反向器件区层包含偏向衬底的内输入结构，即内藏源极与内藏栅极，并通过开设导通孔实现内外输入信号的有效传输。本发明达到双倍提高器件集成度、优化信号处理性能以及增强器件可靠性的效果。