一种垂直结构LED芯片及其制作方法

一种垂直结构LED芯片及其制作方法，垂直结构LED芯片包括基板以及位于基板一侧表面的键合金属层和第一绝缘层、第二反射结构和外延叠层。外延叠层包括沿背离基板的方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；外延叠层设有至少贯穿第一型半导体层和有源层，并暴露部分第二型半导体层的通孔；在第二型半导体层背离有源层的一侧表面设有与通孔对应的凸台。通过在设置与通孔对应的凸台，使得LED芯片的出光在通孔区域的散射更加充分，提高LED芯片的出光效率，提高LED芯片在通孔区域的亮度。