光刻仿真模型的误差确定方法、装置、设备、介质及产品

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光刻仿真模型的误差确定方法、装置、设备、介质及产品
申请号:CN202510307461
申请日期:2025-03-13
公开号:CN119987159B
公开日期:2025-12-05
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光刻仿真模型的误差确定方法、装置、设备、介质及产品,涉及光刻仿真技术领域。该光刻仿真模型的误差确定方法包括:获取目标掩模图案的真实光刻轮廓,以及光刻仿真模型输出的目标掩模图案的仿真光刻轮廓;对真实光刻轮廓与仿真光刻轮廓分别进行离散化,构建第一四叉树;根据第一四叉树,确定各真实离散点到仿真光刻轮廓的最短距离,以及各仿真离散点到真实光刻轮廓的最短距离;将各最短距离,分别存储至与第一四叉树对应的同构索引树中,构建第二四叉树;根据第二四叉树,确定光刻仿真模型的误差。根据本申请,能够提高光刻仿真模型的误差确定效率。
技术关键词
光刻 仿真模型 轮廓区域 掩模图案 短距离 计算机程序指令 节点 误差 计算机程序产品 索引 线段 坐标 电子设备 可读存储介质 处理器 连线 晶圆
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