光刻仿真模型的误差确定方法、装置、设备、介质及产品
申请号:CN202510307461
申请日期:2025-03-13
公开号:CN119987159B
公开日期:2025-12-05
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光刻仿真模型的误差确定方法、装置、设备、介质及产品,涉及光刻仿真技术领域。该光刻仿真模型的误差确定方法包括:获取目标掩模图案的真实光刻轮廓,以及光刻仿真模型输出的目标掩模图案的仿真光刻轮廓;对真实光刻轮廓与仿真光刻轮廓分别进行离散化,构建第一四叉树;根据第一四叉树,确定各真实离散点到仿真光刻轮廓的最短距离,以及各仿真离散点到真实光刻轮廓的最短距离;将各最短距离,分别存储至与第一四叉树对应的同构索引树中,构建第二四叉树;根据第二四叉树,确定光刻仿真模型的误差。根据本申请,能够提高光刻仿真模型的误差确定效率。
技术关键词
光刻
仿真模型
轮廓区域
掩模图案
短距离
计算机程序指令
节点
误差
计算机程序产品
索引
线段
坐标
电子设备
可读存储介质
处理器
连线
晶圆