一种中介质层金属通孔的制作方法

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种中介质层金属通孔的制作方法。该方法包括：提供临时载体芯片，采用铜柱工艺在临时载体芯片上制作铜柱；提供中介质层，对中介质层进行深孔刻蚀，深孔的孔径大于铜柱的外径；将铜柱插入深孔中，通过键合胶将临时载体芯片与中介质层键合；在中介质层上涂覆铜浆或纳米铜浆，通过铜柱将铜浆或纳米铜浆引流至深孔直至将深孔填满，并对铜浆或纳米铜浆进行固化处理；对固化后的铜浆或纳米铜浆进行减薄处理，直至露出深孔的孔型；移除临时载体芯片，完成金属通孔的制作。通过上述方式，本发明能够大幅降低金属填充的难度，简化工艺流程，降低成本，并有效提高金属填充的良率。