半导体缺陷检测方法

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半导体缺陷检测方法
申请号:CN202510311489
申请日期:2025-03-17
公开号:CN120404942A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种半导体缺陷检测方法,用于对倒装芯片级封装结构进行缺陷检测,包括:采用中低频换能器对倒装芯片级封装结构进行扫描,根据扫描结果对倒装芯片级封装结构中的塑封体和基板进行缺陷分析;进行背面处理,去除部分塑封体以暴露芯片远离基板一侧的表面;采用高频换能器对填充胶层和所述芯片之间的第一交界面、所述填充胶层和所述基板之间的第二交界面进行扫描,以对所述凸点、所述第一交界面和所述第二交界面进行缺陷分析。本申请将制样技术与声学扫描原理相结合,实现了针对倒装芯片级封装结构中凸点和填充胶层处的缺陷类型和位置的有效检测,提升了倒装芯片级封装结构的质量管控、失效分析及可靠性评估的效率和准确性。
技术关键词
半导体缺陷检测方法 芯片级封装结构 缺陷分析 低频换能器 高频换能器 基板 波形 图像 幅值 凸点 空洞 凹槽 浓硫酸 分层 界面 激光 频率