一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法
申请号:CN202510315561
申请日期:2025-03-18
公开号:CN119862851B
公开日期:2025-07-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法,涉及集成电路技术领域。本发明通过构建仿真电路进行多次仿真,记录不同电压下MOS管的电容值变化,生成详细的容值数据表,形成与几何参数关联的Pcell参数,并集成到版图设计工具中,实现了版图中的快速计算和可视化,再定义POLY density的计算范围并实时计算,确保其符合工艺要求,通过选择最优的金属层次组合和调整金属面积,优化MOM电容的设计;再将MOS管电容和MOM电容的计算结果集成到Pcell中,调用Pcell参数,生成对应的电容版图,并进行设计规则检查和电路版图对比验证,确保版图符合工艺要求。
技术关键词
版图生成方法
MOM电容
参数
版图面积
电容模块
MOS管
电压
仿真电路设计
设计工具
设计规则检查
布局
数据分析软件
数学模型
管子
布线算法
集成电路技术
基准