一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺

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一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺
申请号:CN202510329554
申请日期:2025-03-20
公开号:CN119845441B
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺,属于深低温温度传感器技术领域。所述高性能电阻型深低温温度传感器为叠层结构,包括:器件衬底,沉积在所述器件衬底上的敏感层薄膜,沉积在所述敏感层薄膜上的电极层薄膜,电极层薄膜经刻蚀后所形成的叉指图形;所述敏感层薄膜为过渡金属铪或锆的单氮化物,所述电极层薄膜也为过渡金属铪或锆的单氮化物,两层薄膜的材料相同,但各自元素含量不同,物相体系不同。本发明能够在保证温度传感器具有高的灵敏度和精度的前提下,减少敏感层薄膜和电极层薄膜的开裂脱落、提升器件的寿命和可靠性,显著提高器件的应用稳定性;可在低温温度传感器技术领域广泛推广。
技术关键词
低温温度传感器 高性能电阻 薄膜生长技术 真空蒸发镀膜 金属有机化合物 氮化锆 传感器器件 衬底 磁控溅射技术沉积 原子层沉积 叠层结构 薄膜材料 氮气 干法刻蚀工艺 传感器芯片 元素 叉指电极