3D堆叠芯片、金属互连结构制作方法及3D堆叠芯片

本发明公开了一种3D堆叠芯片的制作方法、3D堆叠芯片的金属互连结构制作方法，以及3D堆叠芯片，通过在bump层上镀上一层CoX合金层作为焊接强化层，有效增强多个芯片堆叠时的键合强度和可靠性。该金属互连结构制作方法包括：在芯片的正面和/或背面制备bump层；在所述bump层上制备一层CoX合金材料的焊接强化层，X为元素La、Ce中一种或多种的稀土元素。其中，3D堆叠芯片的制作方法包括：将多个正面和/或背面制备有bump层和焊接强化层的芯片位置相对地依次堆叠在一起，将相邻芯片的焊接强化层接触并焊接在一起。与现有技术相比，本发明通过在bump层上镀上一层CoX合金层作为焊接强化层，有效增强多个芯片堆叠时的键合强度和可靠性。