一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统
申请号:CN202510391853
申请日期:2025-03-31
公开号:CN119916171B
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法及系统,属于半导体器件监测技术领域,其具体包括:实时采集碳化硅MOSFET的工作电压、工作电流和结温数据,通过数据处理单元分析处理数据,提取MOSFET老化状态特征参数;采用融合了多源数据和时间序列信息的动态老化状态评估模型对碳化硅MOSFET的老化状态进行评估,并将结果输出至显示单元;设置多级报警策略,依据老化状态触发不同级别的报警信号,同时,收集反馈数据以优化状态评估模型,实现了对碳化硅MOSFET老化状态的实时、精准监测,提升了电力电子系统的可靠性与稳定性。
技术关键词
动态老化
在线老化
状态监测方法
碳化硅
数据处理单元
循环神经网络模型
时间序列信息
状态监测系统
报警策略
数据分析模块
数据采集模块
电力电子系统
漏电流
结温
电压
电阻
半导体器件