平面透射电镜样品的制备方法
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平面透射电镜样品的制备方法
申请号:
CN202510398506
申请日期:
2025-03-31
公开号:
CN120102248A
公开日期:
2025-06-06
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种平面透射电镜样品的制备方法,包括:提供芯片样品,在芯片样品的目标位置形成保护层。在保护层上刻蚀出3个以上标记开口并在标记开口中填充第二材料层形成标记,第二材料层的材料和保护层的材料不同。采用FIB对芯片样品上选定面进行平面切割,在平面切割过程中,利用各标记的衬度差异调整切割角度,使得平面切割的切割面和选定面平行。本发明能保证切割方向和选定面平行,最大限度地保证TEM样品信息完整性,提高平面TEM样品制样成功率。
技术关键词
平面透射电镜样品
平面切割
标记
平面TEM样品
切割面
芯片
电子束
半导体衬底
图像
亮度
矩形