半导体结构和半导体器件

本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层；多个源区；第一金属层，第一金属层的靠近衬底的部分表面与外延层的远离衬底的部分表面接触；互联金属层；多个导热层，导热层位于第一金属层的靠近或者远离衬底的一侧，或位于互联金属层中，导热层的热导率大于互联金属层的热导率，在导热层位于第一金属层的远离衬底的一侧时，互联金属层位于导热层的远离衬底的表面上和第一金属层的远离衬底的部分表面上，在导热层位于第一金属层的靠近衬底的一侧，或者位于互联金属层中时，互联金属层位于第一金属层的远离衬底的表面上。本申请解决了现有技术中芯片的热量集中在源极接触的位置导致瞬态温升造成栅源短路失效的问题。