一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料残余应力分布图的智能化测绘方法
申请号:CN202510453228
申请日期:2025-04-11
公开号:CN120352058A
公开日期:2025-07-22
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料残余应力分布图的智能化测绘方法,包括以下步骤:a)采用低温脉冲激光切割结合液氮冷却工艺制备试样;b)将试样进行表面处理后,进行测试点规划并定位,再利用X射线衍射法采集各测试点残余应力数据,最后结合卷积神经网络算法重构应力场,生成高分辨率应力分布云图。与现有技术相比,本发明提供的SiCf/SiC陶瓷基复合材料残余应力分布图的智能化测绘方法采用特定工艺步骤及条件,实现整体较好的相互作用:能够显著提升SiCf/SiC陶瓷基复合材料残余应力分布的检测精度与效率,测试点数量可减少20%,适用于航空发动机、核反应堆部件等复杂构件的应力取样分析,可用于支持制造工艺优化及寿命评估。
技术关键词
SiC陶瓷基复合材料
测绘方法
测试点
生成高分辨率
卷积神经网络算法
X射线衍射法
低收缩环氧树脂
核反应堆部件
金刚石研磨膏
激光切割系统
激光显微镜
危险区
感兴趣
液氮
应力场
脉冲
规划
电解抛光