一种提高光效的芯片结构

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一种提高光效的芯片结构
申请号:CN202510478631
申请日期:2025-04-16
公开号:CN119997690A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种提高光效的芯片结构,包括由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件;有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间;贯穿第二半导体层及有源层,并延伸到第一半导体层内部的第一凹陷以及两侧的第二凹陷,其中第一凹陷位于第一区域,第二凹陷位于第二区域;大部分接触于第二绝缘层表面并且与第一半导体层形成电连接的第二反射层,第二反射层填充于第一凹陷,且部分覆盖第二凹陷;在第一区域中未覆盖第一反射层的区域覆盖第二反射层;在第二区域中第二反射层覆盖于第二绝缘层表面。本发明采用双反射层结构设计,在非发光区域引入新的反射层,使得非发光区域同样存在反射效果,进而可以提高整个器件的发光光效。
技术关键词
半导体层 导电层 芯片结构 金属结构材料 反射率 双反射层 发光器件 焊盘