一种用于IGBT芯片非接触式工作参数测量方法

本发明属于IGBT芯片技术领域，且公开了一种用于IGBT芯片非接触式工作参数测量方法，具体步骤如下：步骤一：建立仿真模型，使用建模软件建立IGBT芯片的电磁场模型，然后根据建立的IGBT芯片电磁场模型，仿真不同工作条件下的电磁场分布并记录。本发明通过建立IGBT芯片电磁场模型，实现了对IGBT芯片的非接触式电磁法测量，避免了因物理接触可能带来的损伤或干扰，通过实时、连续地监测IGBT芯片的正常工作过程中的电磁场变化，从而间接获取工作参数，进而能够检测到开关瞬态过程中微弱的电磁场变化并转化为精确的电信号，同时能够覆盖IGBT芯片从低频到高频的广泛频率范围，适用于IGBT芯片在不同工作条件下的测量需求。