摘要
为克服现有层叠式芯片封装结构中存在散热不良,以及各存储芯片之间体积膨胀率不同导致的应力的问题,本发明提供了一种存储芯片的封装结构,包括基板、控制芯片、导热层、存储芯片、导热浆料层和封装胶层,所述导热层设置于所述控制芯片背离所述基板的表面,在多个所述存储芯片的两侧分别形成有第一阶梯面和第二阶梯面,所述控制芯片、所述导热层和所述存储芯片位于所述封装胶层中,所述导热浆料层包括第一导热浆料层和第二导热浆料层,所述第一导热浆料层覆盖于所述第二阶梯面,所述第二导热浆料层覆盖于所述封装胶层的外表面。同时,本发明还公开了上述存储芯片的封装结构的制备方法。