IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法及系统
申请号:CN202510561712
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120087282B
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法及系统,涉及芯片技术领域。所述方法包括:联网调用,得到芯片仿真模型;确定芯片应用场景;进行电热耦合仿真,输出接触面散热需求分布;进行流场仿真优化分析,定位散热面针翅密度分布;进行协同布局分析,输出焊接区域分布;进行焊接凹槽结构参数匹配,输出焊接凹槽分布;将焊接凹槽分布和散热面针翅密度分布融合至接触面结构,得到空洞率优化模型;依据空洞率优化模型进行铜散热底板的开模和批量生产。解决了现有技术中IGBT铜散热底板接触面空洞率不均匀,导致散热性能不稳定的技术问题,达到了优化散热底板接触面空洞率,提高散热效率和稳定性的技术效果。
技术关键词
结构优化方法
散热底板
仿真模型
空洞
密度
封装结构
接触面结构
IGBT芯片
模型库
凹槽结构
分布特征
阻力
场景
结构优化系统
布局
电热
特征参数提取