一种倒装LED芯片及其制作方法

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法。该方法通过将传统细长型倒装LED芯片设计优化为宽短型结构，并采用细长条形的P/N电极焊盘布局，控制两电极焊盘间距为50–250微米。具体工艺包括在图形化衬底上生长LED外延结构，形成MESA确定芯片尺寸，依次制备透明导电层、介质反射层和金属反射层叠层，提高出光效率；然后沉积双层绝缘钝化层并开窗，制作两级金属电极以形成P/N焊盘。经上述设计，芯片受力分布更均匀，大幅降低固晶封装过程中因应力集中导致的断晶风险，同时适中的焊盘间距避免了连锡短路，显著提升了LED芯片的可靠性和产品良率。