基于暗场成像的气体突破盖层非线性渗流实验方法及装置
申请号:CN202510616262
申请日期:2025-05-14
公开号:CN120539014A
公开日期:2025-08-26
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于暗场成像的气体突破盖层非线性渗流实验方法,将微流控岩石芯片放在暗场散射显微镜载物台上;将微流控岩石芯片注入端与流体注入模块相连、出口端与下游流出管路相连接;将地层水溶液注入微流控岩石芯片直至其被地层水溶液充满;打开注气系统,调好暗场散射显微镜直至获得微流控岩石芯片孔隙结构以及二氧化碳驱替地层水的清晰图像;向微流控岩石芯片注入不同压力的二氧化碳,观测微流控岩石芯片中二氧化碳和地层水的非线性渗流运移图像;当观测到二氧化碳运移至岩石芯片出口端时,即为突破时刻,此时微流控岩石芯片的上、下游压力差值即为突破压力。本发明可精准观察纳米孔隙中二氧化碳驱替地层水的非线性渗流,并确定突破压力。
技术关键词
暗场成像
高精度相机
芯片
非线性
注水系统
二氧化碳驱替
压力传感器
显微镜
载物台
地层水
数据采集器
注气系统
出口流槽
控制终端
聚光镜
管路
回收模块
三向阀
二氧化碳气瓶
水分离器