RRAM的测试方法、装置、电子设备和存储介质

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RRAM的测试方法、装置、电子设备和存储介质
申请号:CN202510667249
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120183479A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种RRAM的测试方法、装置、电子设备和存储介质。其中,应用于FPGA的RRAM的测试方法,包括:通过FPAG的唯一输入接口接收由用户数据读写模块输入的测试地址信息;所述测试地址信息包括:待测试忆阻器的地址数据;所述待测试忆阻器为测试板中按照B行和W列排列的忆阻器阵列的一个或者多个忆阻器;根据所述测试地址信息,确定RRAM的具体测试类型并生成对所述待测试忆阻器进行测试的测试信号;向所述具体测试类型的测试单元发送所述测试信号,以使所述测试单元使用用户规定的电压波形,对所有待测试忆阻器进行测试,得到所有待测试忆阻器的测试结果;向所述用户数据读写模块返回所有待测试忆阻器的测试结果。
技术关键词
测试方法 忆阻器 输入接口 队列 读数据 波形 信号发送模块 电压 信息接收模块 电子设备 时钟 指令 模数转换器 模式 数据线 阵列 芯片