RRAM的测试方法、装置及系统

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RRAM的测试方法、装置及系统
申请号:CN202510667251
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120220787B
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种RRAM的测试方法、装置及系统。其中,该RRAM的测试方法,用于测试板;该测试板包含按照B行和W列排列的忆阻器阵列、以及FPGA。该方法包括:上位机显示RRAM的当前测试的参数设置界面;所述参数设置界面显示的待输入参数;接收针对所述待输入参数输入的参数数据以及用户输入的待测试忆阻器的地址,生成并发送上位机指令;所述待测试忆阻器为所述忆阻器阵列中的一个或者多个忆阻器;FPGA按照所述上位机和FPGA约定的寄存器协议,根据接收到所述上位机指令,产生所述待测试忆阻器的地址的驱动信号;将所述驱动信号给所述待测试忆阻器;接收所述待测试忆阻器的回流信号,进行当前测试。
技术关键词
忆阻器阵列 驱动信号 登录界面 测试方法 图表 数据 指令 测试板 参数 协议 开关阵列 驱动制动装置 芯片 管脚 数字模拟转换器 电压 模拟数字转换器 电流值