摘要
本发明公开了一种基于高温超导磁控技术的超大规模硅单晶生长方法，涉及硅单晶生长技术领域，包括设定并校准初始磁场强度，结合梯度石墨毡导热系数函数优化温场均匀性；在熔体阶段引入动态磁场调控机制，通过流速－磁场联控抑制熔体对流并同步氧浓度监测；在晶体生长阶段采用多物理场耦合仿真与多目标优化算法，实时调节磁场强度、加热功率及拉晶参数，平衡氧含量与生长速率；通过梯度降场技术缓解尾部应力，最终获得低缺陷、高均匀性硅单晶。本发明通过高温超导磁控技术精准调控熔体流动和温场均匀性，结合动态监测与多目标优化算法，显著提升硅单晶生长质量，降低缺陷率和能耗，同时实现大尺寸晶体的高效稳定生产。
