一种用于提升存储设备性能的多芯片半导体结构

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一种用于提升存储设备性能的多芯片半导体结构
申请号:CN202510683958
申请日期:2025-05-26
公开号:CN120545288A
公开日期:2025-08-26
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体领域,具体涉及一种用于提升存储设备性能的多芯片半导体结构,封装机构包括封装基板,所述封装基板上设置至少为一个的逻辑芯片;相较于垂直堆叠单传输通道的存储颗粒,阶梯堆叠导电件配合键合线建立双传输通道的存储颗粒的传输效率有效提升,可充当高性能传输颗粒,在一个存储模组中提升了高性能传输颗粒的含量,当多存储模组继续组合时,可继续增加高性能传输颗粒量,从而提升存储设备的性能;设置中空的阶梯通道用于气体通过在整体封装结构处进行内部散热,搭配阶梯堆叠的设计,增加各层芯片存储颗粒在外部的暴露量,增加热交换面积以提升散热性能,提升多芯片组合后半导体的运行稳定性和运行寿命。
技术关键词
键合线 存储芯片 存储模组 半导体结构 存储设备 封装基板 封装盖板 封装机构 通道 导电件 逻辑 导热封装材料 整体封装结构 高性能 外露 叠层 阶梯状 内部散热