摘要
本申请提供了一种超导量子芯片的封装方法及封装结构和电子设备,涉及超导量子技术领域。通过双重气密性封装方式,来改善超导量子芯片的功能线路在封装过程中出现氧化的问题,抑制了超导量子芯片的表面损耗和材料相关损耗,保证超导量子芯片的性能高,提高了超导量子芯片封装的可靠性。同时能够有效隔绝湿气、氧气和污染物等,避免保存过程中超导量子芯片的功能线路因接触大气环境,而使得功能线路产生氧化变质问题,从而避免了超导量子芯片的工作参数变化、性能降低和使用寿命衰减的问题。并且可以防止超导量子芯片的超导材料在低温环境下的氧化和化学腐蚀,提升超导量子芯片在稀释制冷机中的长期稳定性,从而提高了超导量子芯片的低温性能。