一种DRAM的修复方法、存储介质、集成电路模块及控制装置

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一种DRAM的修复方法、存储介质、集成电路模块及控制装置
申请号:CN202510704578
申请日期:2025-05-28
公开号:CN120581057A
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种DRAM的修复方法、存储介质、集成电路模块及控制装置,涉及DRAM技术领域。DRAM包括多个第一存储单元;集成电路模块包括多个第二存储单元;方法包括:获取DRAM中多个第一存储单元的功能参数,并根据多个第一存储单元的功能参数确认每一第一存储单元的工作状态;筛选处于故障状态的第一存储单元,并确认处于故障状态的第一存储单元的数量及物理地址;根据处于故障状态的第一存储单元的物理地址,将第二存储单元的物理地址映射为第一存储单元的物理地址,以替代处于故障状态的第一存储单元;处于故障状态的第一存储单元的数量小于或等于第二存储单元的数量。本发明旨在提高DRAM可使用的灵活性。
技术关键词
存储单元 集成电路模块 修复方法 DDR控制器 地址映射 存储电路 控制电路 参数 SOC芯片 接口 物理 可读存储介质 计算机 处理器 信号 数据