一种MOS器件寿命预测方法、系统和电子设备

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一种MOS器件寿命预测方法、系统和电子设备
申请号:CN202510724652
申请日期:2025-06-03
公开号:CN120257843A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及集成电路可靠性技术领域,公开了一种MOS器件寿命预测方法、系统和电子设备,其中,一种MOS器件寿命预测方法包括:构建连续时间动力学模型,表达MOS器件退化过程;构建器件关系图结构,捕捉器件间空间相关性;执行多时间尺度分解,解析器件退化的时序特性;应用自适应数值求解算法,实现退化轨迹预测;实施物理约束正则化,提升模型的物理合理性。本发明通过融合图神经微分方程与多时间尺度分解技术,解决了现有技术中离散时间建模不足、器件间协同效应忽略、多尺度特性处理困难等问题,实现了对MOS器件寿命的高精度预测。
技术关键词
MOS器件 寿命预测方法 多时间尺度 数值求解算法 寿命预测系统 集成电路可靠性技术 物理布局信息 信息传递机制 消息传递机制 注意力机制 跨导参数 熵增原理 电子设备 多尺度 轨迹 能量守恒 时序 关系
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