电参数的优选方法及测量方法、SiC MOSFET栅氧层退化情况的估计方法

本申请提供电参数的优选方法及测量方法、SiC MOSFET栅氧层退化情况的估计方法，所述优选方法包括以下步骤：结合SiC MOSFET的栅氧层退化模型及关断过程的I‑V特性，确定其在关断过程中若干个电参数与栅氧层退化程度的关系模型；结合所述关系模型及SiC逆变器的实际工作特性，确定若干个备选电参数；基于各个备选电参数的等效电路模型，评估各个备选电参数的在线测量难度及其与SiC MOSFET温度的耦合程度，并根据评估结果确定优选电参数；确定与所述优选电参数进行联合测量的映射电参数。本申请通过深入探究栅氧层老化与各个电参数之间的关系，能够优选出适合于在线监测SiC MOSFET栅氧层退化程度的电参数。