一种硅基光子晶体缺陷波导与光电晶体管集成芯片的制备方法

本发明提供一种硅基光子晶体缺陷波导与光电晶体管集成芯片的制备方法。在SOI衬底上依次外延生长N‑型Si层、P型SixGe1‑x层、P型Si层以及N型多晶Si层；在晶体管部分，将N型多晶Si发射区、双基区以及N‑型Si集电区制作为条状；接着分别在N型多晶Si层和SOI衬底顶Si层上制作电极接触孔并制备金属电极；在光子晶体缺陷波导部分，制作纳米空气孔阵列和缺陷波导通道。本发明易于光电集成，成本低；光子晶体缺陷波导便于与光纤耦合，通过周期性纳米孔阵列和线缺陷特性，产生光子禁带和陷光效应以控制入射光的传输路径。将入射光限制在光子晶体缺陷波导中，使850‑940nm的入射光在光子晶体缺陷波导通道中传输，从而提高耦合精准度和光吸收效率。