一种基于TSV技术硅晶圆图像缺陷识别方法及系统

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一种基于TSV技术硅晶圆图像缺陷识别方法及系统
申请号:CN202510764809
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120635032A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于TSV技术硅晶圆图像缺陷识别方法及系统,方法包括:根据TSV硅晶圆的深度结构特性,同步采集三维图像,将不同模态的三维图像映射到统一空间坐标系,得到三维融合图像;根据三维融合图像,采用基于三维卷积神经网络的特征提取模型,提取TSV孔壁形貌、深度偏差及材料均匀性特征,得到增强后的多维特征张量;根据多维特征张量,结合TSV结构的空间拓扑关系建模,得到缺陷的空间拓扑分布图;根据缺陷的空间拓扑分布图,分析缺陷成因与工艺环节的关联性,生成缺陷成因报告及工艺优化建议,得到可解释的缺陷诊断结果。利用本发明实施例,能够提供全面、精准的硅晶圆图像缺陷识别及工艺优化方案,提高TSV制造工艺的可靠性。
技术关键词
X射线断层扫描技术 三维卷积神经网络 特征提取模型 多源数据融合技术 三维图像数据集 均匀性特征 图像缺陷识别方法 空间拓扑关系 超分辨率重建技术 X射线断层扫描图像 缺陷检测算法 生成对抗网络 拓扑图 分析缺陷 表面形貌数据 多尺度卷积核 多尺度特征融合 注意力机制 光谱成像技术