一种半导体结构的制备方法

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，方法包括：提供第一衬底，第一衬底包含第一芯片区及位于相邻第一芯片区之间的第一切割区，第一切割区中至少设置有第一标记及位于第一标记周围的第一初始结构，打开第一切割区所在的区域，去除第一初始结构，形成多个第一沟槽，至少在第一沟槽中形成第一介质层及位于第一介质层中的第一预设结构，第一预设结构的分布区域小于第一初始结构的分布区域，且所述第一预设结构在所述第一衬底上的正投影落入所述第一标记在所述第一衬底上的正投影的区域外。