摘要
本申请公开了一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片散热性能的方法，包括如下步骤：S1，外延结构制备：衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长、功能层堆叠外延；S2，硅基衬底图形化：介质层与金属结构制备；S3,金刚石欧姆接触层集成：p型导电金刚石膜层加工、金属反射与键合；S4,衬底去除与n型结构形成：衬底剥离与n型接触；S5,后段工艺集成：电极与光学结构制备；本申请的芯片散热性能显著提升；串联电阻降低30%‑50%；p/n型金刚石欧姆接触层电阻率较ITO降低1‑2个数量级；避免了GaAs材料吸光与金属遮光，结合微透镜阵列，红光透过率从75%提升至90%以上；兼容现有MOCVD、CVD及光刻工艺，可实现2‑12寸晶圆规模化生产，降低制造成本。
