一种高抗水解的LED外延片及其制备方法

本发明涉及发光二极管的技术领域，公开了一种高抗水解的LED外延片及其制备方法，所述高抗水解的LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设置有缓冲层、U型GaN层、N型半导体层、超晶格层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述N型半导体层为GaN层和Si掺杂AlGaN层循环交替生长形成的周期性结构；所述超晶格层包括周期性交替层叠的Si掺杂GaN层和InGaN层。实施本发明，可以有效改善蓝绿LED外延片的抗水解性能和发光效率，而且工艺简单，不需要增加额外芯片工艺。