g-C3N4MnCoNiCuZn(C)复合光催化剂的制备方法

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g-C3N4MnCoNiCuZn(C)复合光催化剂的制备方法
申请号:CN202510799840
申请日期:2025-06-16
公开号:CN120679578A
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种g‑C3N4/MnCoNiCuZn(C)复合光催化剂的制备方法,涉及光催化剂领域,其包括以下步骤:S1、制备C基底高熵合金MnCoNiCuZn;S2、制备g‑C3N4/MnCoNiCuZn复合材料。本发明的方法采用热还原、溶胶凝胶法和原位生长相结合的方法,将金属离子还原制备出了含疏松多孔C基底的MnCoNiCuZn(C),又将三聚氰胺与MnCoNiCuZn(C)混合均匀后进行煅烧,从而制得了MnCoNiCuZn(C)/g‑C3N4复合光催化剂,并将其用于光催化降解TC的研究。MnCoNiCuZn(C)疏松多孔结构的C基底也为g‑C3N4纳米片的生长提供了场所,在复合后MnCoNiCuZn(C)与g‑C3N4纳米片紧密结合,使其能够协同降解TC。
技术关键词
复合光催化剂 C3N4纳米片 高熵合金 煅烧 基底 多孔结构 速率 参数优化模型 合金粉末 复合材料 肖特基势垒 气氛 真空干燥箱 柠檬酸 管式炉 光电流