MOS管的低功耗运行控制方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202510817360
申请日期:2025-06-18
公开号:CN120691871A
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明涉及MOS管技术领域,公开了一种MOS管的低功耗运行控制方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:采集MOS管的工作状态特征数据;对工作状态特征数据进行变化趋势分析,得到当前功耗状态和功耗波动范围;基于当前功耗状态和功耗波动范围执行最佳阈值电压调整参数计算,得到目标阈值电压值;根据目标阈值电压值执行体偏置控制和栅极电压补偿,得到体偏置电压控制信号和栅极电压控制信号;根据体偏置电压和栅极电压控制信号动态调整MOS管的供电电压和工作频率,得到电压频率工作点,本发明在保证快速响应突发负载变化的同时,实现了对所有控制参数的精确调整,实现了MOS管的全局最优运行状态。
技术关键词
栅极电压控制
最佳阈值电压
低功耗
电压补偿
多级电荷泵电路
敏感度矩阵
电学特性参数
信号
工作点
栅极漏电流
数据
模式
MOS管技术
动态
控制策略
联合优化算法