一种刻蚀模拟方法、一种刻蚀模拟模型训练方法以及装置

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一种刻蚀模拟方法、一种刻蚀模拟模型训练方法以及装置
申请号:CN202510830372
申请日期:2025-06-19
公开号:CN120807676A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供了一种刻蚀模拟方法、一种刻蚀模拟模型训练方法以及装置,包括:联合模型通过光刻胶模型对目标晶圆进行光刻模拟,确定光刻模拟图像。通过刻蚀模拟模型训练方法训练得到的刻蚀模拟模型,对光刻模拟图像和刻蚀材料分布数据进行刻蚀模拟,模拟出目标晶圆的刻蚀模拟图像。本申请的技术方案针对目标晶圆可以实现高效且贴合真实情况的刻蚀模拟,光刻和刻蚀一体化的模拟过程极大程度上提升芯片生产效率和精度。在刻蚀模拟过程中引入刻蚀材料分布数据,精准还原真实刻蚀过程中不同刻蚀材料对于刻蚀过程的影响,提升刻蚀模拟过程精准性和实用性,进而使得芯片实际生产过程的芯片良率和性能强度得到提升。
技术关键词
光刻胶模型 模拟模型 刻蚀材料 掩模版图 光刻特征 样本 分布特征 图像 数据 芯片 参数 尺寸 晶圆 基础 精度 强度