一种提高IGBT功率模块散热性能的封装结构及封装方法

本发明提供一种提高IGBT功率模块散热性能的封装结构及封装方法，封装结构包括由下至上依次设置的铜基板、第一环氧胶层、环氧树脂基复合材料层、第二环氧胶层、一体设置的上桥铜层和下桥铜层、芯片焊料层、功率芯片；功率芯片包括上桥芯片和下桥芯片；芯片焊料层包括上桥芯片焊料层和下桥芯片焊料层；上桥芯片焊料层设于上桥铜层上，上桥芯片设于上桥芯片焊料层上；下桥芯片焊料层设于下桥铜层上，下桥芯片设于下桥芯片焊料层上。该封装结构采用环氧树脂基复合材料层作为绝缘层，在热流传递上减少了铜与焊接层，减小芯片到外壳的热阻，提高散热性能；上下桥臂铜层一体化，减少了上下桥之间的引线，使IGBT的功率损耗减小，发热降低。