一种高压发光芯片及其制备方法

本发明公开了一种高压发光芯片及其制备方法，高压发光芯片包括：缓冲层，缓冲层的材料为未掺杂或低掺杂的半导体材料；绝缘支撑层，位于缓冲层的一侧；绝缘支撑层的材料为掺杂有阻化杂质的半导体材料；绝缘支撑层的电阻率大于缓冲层的电阻率；至少两个发光单元，位于绝缘支撑层远离缓冲层的一侧，且相邻的两个发光单元之间设置有隔离槽；隔离槽用于隔离相邻的两个发光单元；电极连接结构，电极连接结构用于串联相邻的两个发光单元。本发明提供的技术方案，改善了高压发光芯片从隔离槽处断裂的问题，提高了结构的稳定性。