一种提升绿光Micro LED内量子效率的外延结构

本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体公开了一种提升绿光Micro LED内量子效率的外延结构。该外延结构包括衬底，以及依次设置于所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、有源层、低温重掺Mg的GaN层、电子阻挡层、p型GaN层和p型GaN接触层。有源层包括多个周期的InGaN量子阱层与InAlGaN/GaN超晶格量子垒层交替结构，每个量子阱层后设置有一层AlGaN/GaN超晶格构成的CAP层。通过采用宽阱窄垒结构、中和极化电场的超晶格CAP层，以及晶格匹配与空穴注入增强的四元InAlGaN势垒结构，实现了对极化场、位错密度和空穴输运的多重调控，显著提升了绿光Micro LED的内量子效率，适用于高性能Micro LED芯片的外延制备。