一种用于MEMS差压芯片的厚硅背板制备方法

本发明提供一种用于MEMS差压芯片的厚硅背板制备方法，包括：单面抛光硅晶片、双面抛光硅晶片的通孔湿法刻蚀、与石英玻璃临时键合及单侧抛光面去掩膜；单面抛光硅晶片、双面抛光硅晶片分别与石英玻璃解键合，清洗、活化及硅‑硅键合；硅‑硅键合后的退火、清洗，及退火后的去掩膜和清洗。通过湿法刻蚀的方法实现硅背板通孔的加工，避免了机械钻孔和激光打孔中硅片断裂风险与孔内颗粒物残留问题；通过采用石英玻璃与单面抛光硅晶片、双面抛光硅晶片临时键合的方式，实现单面抛光硅晶片与双面抛光硅晶片的单侧去掩膜；通过采用硅‑硅键合的方式实现硅背板的厚度叠加。同时采用退火技术强化厚硅背板强度，为厚硅背板的制备，提供有效解决方案。