一种利用非易失性忆阻器耦合提升神经元电路同步能力的方法

本发明公开了一种利用非易性忆阻器耦合提升神经元电路同步能力的方法。在现有HR、tabu‑learning神经元模型的基础上，通过引入一种非易失性可切换忆阻器模型模拟长期、短期可塑性可切换的突触，并基于此建立忆阻耦合双神经元模型。首次在神经元耦合系统中利用忆阻器的非易失性参数实现神经元同步控制，表现为当忆阻器的参数取易失性时，耦合神经元系统需要较大的耦合强度才能实现同步，而当忆阻器的参数取非易失性时，耦合神经元系统在较小的耦合强度下可实现同步。