晶圆键合结构及其制造方法、芯片堆叠结构的制造方法、封装结构

本申请实施例提供一种晶圆键合结构及其制造方法、芯片堆叠结构的制造方法、封装结构。其中，晶圆键合结构的制造方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆和第二晶圆包括多个芯片；形成覆盖第一晶圆和第二晶圆的第一面的第一介质层；以及形成贯穿第一介质层的第一导电结构；第一导电结构与第一介质层的侧壁和相应芯片的顶面接触；其中，第一介质层的顶面与第一导电结构的顶面之间具有第一高度差；形成覆盖第一介质层的顶面的第二介质层；其中，第二介质层的顶面与第一导电结构的顶面之间具有第二高度差；第二高度差的绝对值大于第一高度差的绝对值。