Micro LED芯片、生长基板及其制作方法、转移基板、显示面板及其制作方法

本申请公开了一种Micro LED芯片、生长基板及其制作方法、转移基板、显示面板及其制作方法，该Micro LED芯片包括：芯片主体，芯片主体包括相对的第一侧和第二侧；芯片主体的第一侧包括核心外延层、以及第一电极和第二电极，核心外延层包括发光区域；芯片主体的第二侧包括结构外延层；结构外延层远离第一侧的表面包括第一区域和第二区域，第一区域对应发光区域，第二区域为第一区域之外的区域；第二区域包括溢流缓冲区，溢流缓冲区具有溢流缓冲结构，以防止封装胶溢流影响所述发光区域出光。溢流缓冲结构可以充分容纳在封装时由于出胶量不稳定而多出的封装胶，避免封装胶溢流到芯片的核心外延层的发光区域造成对发光面积的遮挡，从而有效地保证了发光区域的出光质量。