LDMOS的仿真模型及仿真方法

本发明提供一种LDMOS的仿真模型及仿真方法，包括：LDMOS的沟道、栅极、源极、漏极以及体区；漏极的引出端为漏端，体区的引出端为体端；漏端与沟道之间连接外挂电阻，且漏端与体端之间连接电压控制电流源；电压控制电流源的正极连接漏端，电压控制电流源的负极连接体端；电压控制电流源用于仿真体区电流随栅极和源极的电压差变化的特性曲线的第二次峰值特性。本发明采用外挂电阻的宏模型结合用于专门描述体区电流二次峰值的电压控制电流源，对LDMOS的第二次更高的电流(二次峰值)特性很好的描述或仿真，能为电路设计者提供更为精准的仿真参考。