一种碳化硅MOSFET器件、制造方法和芯片

本发明实施例提供了一种碳化硅MOSFET器件、制造方法和芯片，包括N+型衬底；外延层；电流扩展层，电流扩展层具有第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽的底部，且第二沟槽底部的宽度小于第一沟槽底部的宽度；P型基区，设于电流扩展层内；P型埋层，设于电流扩展层内，且位于第二沟槽的底部；第一沟槽和第二沟槽结合相当于一个阶梯型的沟槽，这个阶梯型的沟槽在电流扩展层内，当碳化硅MOSFET器件的源极金属通过这个阶梯型的沟槽与碳化硅接触时，可以形成肖特基二极管，肖特基二极管具有快速恢复特性，能够降低反向导通压降，并且，阶梯型的沟槽使得肖特基接触面积更大，能够更大程度的降低反向导通压降。