MOSFET芯片生产中的刻蚀参数调节方法及装置

本申请提供了MOSFET芯片生产中的刻蚀参数调节方法及装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取晶圆表面的离子体密度分布数据及刻蚀速率监测值，并动态分割为多个区段独立控制单元；调节射频功率分配权重，并同步调整反应气体注入参数；对刻蚀副产物的浓度梯度与晶圆表面形貌的匹配度进行耦合分析；当检测到偏离目标值阈限时，进行温度补偿和气压补偿。通过本申请解决了由于刻蚀过程中不同区域的刻蚀速率不均匀，导致MOSFET芯片刻蚀精度不佳的技术问题，通过实时监测和动态补偿，提高了刻蚀速率的均匀性，从而提高了MOSFET芯片刻蚀精度。