一种纳米光学加速度计及其制备方法

本发明属于加速度计领域，具体涉及一种纳米光学加速度计及其制备方法，包括在硅片的两面沉积氮化硅薄膜，在一面的氮化硅薄膜采用光刻工艺在顶部氮化硅薄膜上形成目标图形，采用刻蚀法在目标图形处刻蚀氮化硅薄膜形成目标图形的孔，然后采用刻蚀法刻蚀硅片，释放氮化硅薄膜，得到带有质量块的悬空表面；以带有质量块的悬空表面作为纳米加速度计的顶部芯片；两面分别镀有高反膜和增透膜且中间具有凹槽的石英片作为底部芯片，顶部芯片和底部芯片集成，制得纳米光学加速度计；只需要进行一次光刻工艺，微纳加工工艺简单，与CMOS工艺兼容，成本更低，并提高器件制备的成品率。